01
招生要求
根据澳门大学科技学院（Faculty of Science and Technology）及微电子研究院（Institute of Microelectronics）最新招生信息，申请Prof. Sin Sai Weng课题组需满足以下条件：
1. 学历背景
-持有硕士学位，或经澳门大学认可的同等学历；优秀本科生可直接申请直博（Direct Entry），需GPA不低于3.5（4分制）或同等成绩，并具备突出科研能力
-微电子、集成电路设计、电子工程等相关专业背景优先
2. 语言能力
-若本科或硕士阶段非英语授课，需提供托福（TOEFL）550分（纸考）/80分（网考）以上，或雅思（IELTS）总分6.0以上且单项不低于5.5
-部分情况下接受大学英语六级（CET-6），需咨询具体学院
3. 申请时间
- 2026/2027学年第一批次：2025年8月1日至10月31日
- 第二批次：2025年11月1日至2026年3月7日
- 第三批次（第二学期入学）：2026年5月2日至7月31日
4. 资助体系
- UM PhD Scholarship：每月津贴MOP 20,000，最长资助4年
- UM PhD Teaching Research Assistantship：起薪每月MOP 12,500或课程全额学费平均值，资助期最长4年
-需在提交博士申请时同步申请奖学金
5. 其他要求
-建议申请前与导师确认研究方向匹配度
-需提交研究计划书、推荐信、成绩单等材料
02
研究方向
Prof. Sin Sai Weng现任澳门大学科技学院教授，兼任模拟与混合信号超大规模集成电路国家重点实验室（State Key Laboratory of Analog and Mixed-signal VLSI）副主任及微电子研究院（Institute of Microelectronics）副院长。其课题组聚焦以下核心领域：
1. 高性能数据转换器（High-Performance Data Converters）
- 架构类型：流水线型（Pipelined）、逐次逼近型（SAR）、快闪型（Flash）、二分搜索（Binary Search）等
- 过采样数据转换器（Oversampling Data Converters）：连续时间Delta-Sigma调制器（CT DSM）等
2. 电源管理集成电路（Power Management Integrated Circuits）
-混合拓扑降压转换器（Hybrid Buck Converter）
-氮化镓（GaN）驱动芯片设计
-低功耗电源管理方案
3. 模拟与混合信号集成电路（Analog and Mixed-Signal Integrated Circuits）
- 低电压开关电容电路（Low Voltage Switched-Capacitor Circuits）
- 集成模拟前端（Integrated Analog Front-Ends）
- 时间域ADC（Time-Domain ADC）与TDC（Time-to-Digital Converter）
4. 学术产出与影响
-累计发表WOS论文234篇，Scopus论文158篇
-总被引次数：WOS 2693次，Scopus 3685次
-h指数：WOS 25，Scopus 29
-FWCI（Field-Weighted Citation Impact）：1.7
-曾获澳门科学技术发明奖、国家科学技术进步奖等多项荣誉
5. 近期代表性成果（2025年）
- IEEE Journal of Solid-State Circuits：6.4-GS/s时间交织连续时间Delta-Sigma调制器，带宽200 MHz，动态范围77.3 dB
- IEEE Journal of Solid-State Circuits：双电感四路径混合降压转换器（Dual-Inductor Quad-Path Hybrid Buck Converter）
- IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits：16 GS/s 4×时间交织时间域ADC，采用游标型多路径快闪TDC，FoM达25.7 fJ/c-s
- IEEE Transactions on Circuits and Systems I：GaN驱动IC，集成非对称dV/dt电流钳位电平移位器
03
有想法
基于Prof. Sin Sai Weng课题组在数据转换器与电源管理领域的深厚积累，以下提出若干具有可行性的创新研究方向：
想法一：面向AIoT的亚毫瓦级事件驱动型ADC架构
- 背景：现有AIoT传感器节点常处待机状态，传统ADC持续功耗成为瓶颈
- 创新点：结合Prof. Sin在SAR ADC与过采样转换器的技术优势，开发基于事件驱动的异步ADC。采用自适应分辨率调节机制：静态时以极低功耗（<100 nW）维持粗监测，事件触发时切换至高精度模式（12-bit以上）。关键电路挑战在于快速唤醒比较器与动态偏置电路的设计，需解决PVT变化导致的延迟不稳定问题
- 技术路径：融合近期发表的"Precharge-Advancing SAR ADC"技术，结合时间域量化降低动态功耗
想法二：基于混合信号计算的传感器内计算（In-Sensor Computing）接口
- 背景：视觉传感器数据吞吐量巨大，传统"传感器-ADC-处理器"架构能效受限
- 创新点：利用Prof. Sin在Integrated Analog Front-Ends的经验，设计融合模拟计算功能的CMOS图像传感器接口电路。在ADC前端集成可编程模拟乘法器阵列，实现卷积运算的模拟域预处理，仅将特征值数字化。关键技术在于非线性失真抑制（参考2025年JSSC论文中的Nonlinearity-Suppression DAC Encoder技术）与计算精度校准
- 应用前景：适用于边缘端实时视觉处理，如智能监控与自动驾驶感知系统
想法三：宽禁带半导体（GaN/SiC）的智能栅极驱动与 health monitoring 集成系统
- 背景：GaN功率器件开关速度极快，对驱动电路的时序控制与可靠性提出严苛要求
- 创新点：延续Prof. Sin在GaN Driver IC的研究，开发集成片上健康监测功能的智能栅极驱动器。通过集成微型TDC实时监测开关瞬态dV/dt与dI/dt，结合机器学习算法预测器件老化与故障。技术难点在于高压隔离与高速信号采集的协同设计，需解决开关噪声对精密测量电路的干扰
- 系统价值：提升电力电子系统可靠性，适用于新能源汽车与数据中心电源
想法四：面向量子计算的低温CMOS读出电路
- 背景：量子比特控制需工作在mK级低温环境，传统室温ADC经长缆线连接引入噪声
- 创新点：基于Prof. Sin在低电压开关电容电路的专业积累，设计4K级低温工作的SAR ADC。关键挑战在于低温下MOS器件阈值电压漂移与载流子迁移率变化，需开发自适应校准算法。参考课题组在PVT-Robust设计方面的经验（如2025年VLSI Symposium工作），采用时间域架构规避模拟电路温漂问题
- 学术意义：填补国内在低温CMOS电路设计领域的研究空白，服务国家量子科技战略
