项目方向门槛
Han Wang在USC待了近十年，然后2023年跳到香港大学做正教授，同时担任HKU Institute of Mind联合主任。他最出名的工作是2014年Nature Nanotechnology那篇黑磷晶体管，被引超过3000次。一个做纳米电子器件的人跑去建一个叫"Mind Institute"的研究所，这个组合本身就说明他的方向在往神经形态计算走。从USC时期积累的半导体器件能力，加上在HKU拿到的脑科学合作资源，这个组现在的定位比单纯做二维材料器件要宽。
研究背景与课题组
Han Wang本科清华大学，PhD在MIT EECS，然后在USC从助理教授做到正教授。他拿过的奖不少：US Army Early Career Award、NSF CAREER Award、IEEE Nanotechnology Council Early Career Award、MIT Jin-Au Kong最佳博士论文奖、IEDM Best Paper。2023年全职加入HKU EEE系后，组建了一个比较大的实验室，目前官网列出的组员包括约10-15名PhD和3-5名博后，中国学生占比很高。
他在HKU的实验室方向覆盖纳米电子学与二维材料器件、神经形态计算芯片、柔性电子与传感器、异质集成与新型存储器、脑机接口相关器件。方向多不代表每个方向都在招人，但从组员数量和他的funding体量来看，至少有两到三条线在并行推进。
研究重心
我看了他近几年的通讯作者论文，两条主线比较清楚。第一条是二维材料（黑磷、MoTe2等）的器件物理和制备工艺。他在Nature Nanotechnology和ACS Nano上的工作建立了这条线的基础。第二条是把这些材料能力用到神经形态计算上，2023年在Nature Reviews系列上发了一篇二维材料神经形态计算的综述，基本定义了他在这个交叉领域的位置。
对申请者来说，这意味着你需要想清楚自己要接哪条线。做过器件制备（MBE、CVD、电子束光刻）的人接第一条线比较顺；做过电路设计或类脑计算的人可以看第二条线。两条线都需要一定的半导体器件基础，纯算法背景的人会比较吃力。
代表论文
Black phosphorus field-effect transistors
Nature Nanotechnology, 2014 · 被引3000+ · 黑磷晶体管的开创性工作
Ambipolar electronics with atomically thin MoTe2
ACS Nano, 2014 · 二维材料双极性电子学
Neuromorphic computing with 2D materials
Nature Reviews系列, 2023 · 二维材料神经形态计算综述
申请准备与文书材料
CV里如果有器件制备经验，写清楚用过什么设备（CVD、PVD、光刻机型号）、做过什么材料体系（二维材料、氧化物、III-V族）、测过什么电学性能（I-V特性、迁移率、开关比）。如果只有课程项目经验，邮件里不要把话说得太大，先讲清楚具体做了什么。
研究计划
主方向：基于二维材料异质结的突触器件。对象是MoTe2/h-BN异质结；方法是CVD制备+低温电学表征；核心问题是能否用材料层面的可调性实现多级突触权重调控。次方向：柔性神经形态传感器。对象是PET基底上的黑磷薄膜；问题是弯曲状态下器件性能的稳定性。避坑：不要写太泛的"类脑芯片综述"或"二维材料在电子学中的前景"。
博士未来就业与资助
HKU PhD标准资助方案：全奖PhD年stipend约HK$216,360（约人民币20万+），HKPFS可达HK$331,260/年。学费约HK$42,100/年，奖学金通常覆盖。Han Wang组的PhD由导师项目经费和学校奖学金共同支持。从他在USC时期的学生去向来看，半导体器件方向的PhD毕业后去向包括台积电、Intel、Samsung等芯片企业，以及大学教职。HKU地处香港，生活成本较高，住宿是最大开销。
有器件制备或半导体工艺背景的人，如果对神经形态计算方向有具体想法，这个组的资源配置和导师背景都值得认真准备。纯软件或纯算法背景的人，建议先了解清楚组内的实验要求。
信息来源：HKU ECE官网、Google Scholar、导师实验室主页等公开信息。数据截至2026年6月，具体以官方最新页面为准。
