澳门大学全奖博士招生 | Prof. WENG

导师简介

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SIN SAI WENG是澳门大学科技学院教授,同时担任模拟与混合信号超大规模集成电路国家重点实验室及微电子研究所副主任。教授成果丰硕,曾获2011年国家科学技术进步奖二等奖,多次斩获澳门科学技术发明奖,包括2016年三等奖、2014年及2012年二等奖,2012年还获澳门科学技术特别奖,此外还有Chipidea微电子奖(研究生级)、优秀论文证书等多项荣誉。

研究分析

教授团队2025年发表的多篇论文均聚焦领域前沿,发表于IEEE旗下顶级期刊与会议,体现出鲜明的技术创新性与应用导向:

  1. 《A Dual-Inductor Quad-Path Hybrid Buck (2L4PHB) Converter With Reduced Inductor Current》(IEEE Journal of Solid-State Circuits, IF:5.6/6.8):该研究提出双电感四路径混合降压转换器,核心创新在于通过路径结构优化降低电感电流。电感电流是电源管理电路中影响效率与热损耗的关键因素,此设计可提升转换器在高负载场景下的能量转换效率,适用于移动设备、服务器等对电源效率要求严苛的领域,为高密度电源模块设计提供了新方案。
  2. 《A 6.4-GS/s, 200-MHz BW 77.3-dB DR 71.5-dB SNDR 2× TI Extrapolated CT DSM Employing Broadband Hybrid-Inputs Adder and Nonlinearity-Suppression DAC Encoder》(IEEE Journal of Solid-State Circuits, IF:5.6/6.8):针对连续时间Delta-Sigma调制器(CT DSM)的带宽与线性度瓶颈,研究引入宽带混合输入加法器与非线性抑制DAC编码器,实现6.4GS/s采样率、200MHz带宽及77.3dB动态范围(DR),在高速数据转换场景(如通信接收机、雷达信号处理)中具有重要应用价值,突破了传统CT DSM在高采样率下线性度不足的局限。
  3. 《A PVT-Robust 16GS/s 4×TI Time-Domain ADC with Vernier-Based Multipath Flash TDC Achieving 25.7fJ/c−s FoM in 28nm CMOS》(IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits):该时间域ADC采用基于游标结构的多路径Flash时间数字转换器(TDC),实现16GS/s超高采样率,且具备工艺-电压-温度(PVT)鲁棒性,25.7fJ/c−s的能效比(FoM)在28nm CMOS工艺下处于行业先进水平。时间域ADC是高频信号处理的核心部件,此设计为超高速通信、毫米波成像等领域提供了高性能信号转换解决方案。
  4. 《A GaN Driver IC With Asymmetrical dV/dt Current Clamping Level Shifter and Logic-Based Adaptive Deadtime Control》(IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, IF:5.2/5.3):针对氮化镓(GaN)器件驱动需求,研究设计了非对称dV/dt电流钳位电平位移器与逻辑自适应死区控制器,解决GaN器件开关速度快带来的电压尖峰与交叉导通问题,提升驱动电路的可靠性与效率,为新能源汽车、储能系统等GaN功率器件应用场景提供关键驱动芯片技术支撑。

研究想法

结合教授研究领域与前沿技术趋势,可提出以下创新研究方向:

  1. AI驱动的自适应高精度SAR ADC研究:将深度学习算法嵌入SAR ADC架构,利用神经网络实时预测输入信号特征,动态调整量化步长与比较器阈值,解决传统SAR ADC在宽动态范围信号下精度与速度的 trade-off 问题。可针对医疗影像、传感器阵列等场景,设计兼具低功耗与自适应精度的ADC芯片,实现“信号复杂度感知”的智能数据转换。
  2. 面向物联网边缘计算的超低功耗混合信号前端集成系统:融合教授在低压开关电容电路与集成模拟前端的研究基础,设计基于近阈值电压(Near-threshold Voltage)的传感器信号调理-转换一体化模块。采用电荷域信号处理技术减少功耗,结合能量收集电路实现自供电,满足物联网节点对超低功耗、小型化的需求,可应用于环境监测、智能穿戴等领域。
  3. 基于新型拓扑的宽输入范围高效电源管理电路:针对新能源发电(如光伏、风电)输出电压波动大的特点,提出多模态混合降压-升压(Buck-Boost)拓扑,结合教授团队在多路径转换器的研究经验,通过模态平滑切换实现宽输入电压范围内的高效能量转换。引入数字孪生技术对电路动态特性进行实时仿真与优化,提升电源系统在复杂工况下的稳定性与能效。

申请建议

1. 学术背景准备:

  • 需扎实掌握模拟与混合信号集成电路设计基础,包括CMOS器件物理、电路分析、信号与系统等核心课程知识。
  • 建议系统学习数据转换器设计(如SAR、Pipeline、DSM)、电源管理电路拓扑及仿真工具(Cadence Virtuoso、Spectre),熟悉至少一种硬件描述语言(Verilog/VHDL)。
  • 可通过选修相关课程、完成课程设计(如设计一款低功耗SAR ADC)强化实践能力,若能掌握28nm及以下先进工艺设计流程将更具竞争力。

2. 研究经历积累:

  • 优先参与与教授研究方向匹配的项目,如数据转换器设计、电源管理IC开发或模拟前端电路研究。
  • 若有论文发表经历,需突出在电路架构创新、性能优化或实验验证方面的贡献;
  • 若无发表,可整理项目报告,详细说明设计思路、仿真结果与测试数据,如“基于0.18μm CMOS工艺的10位100MS/s SAR ADC设计”项目中,如何通过电容误差校准提升线性度等细节。

3. 文书材料优化:

  • 个人陈述(PS)需紧密结合教授研究成果,例如引用其2025年发表的GaN驱动IC论文,说明自己对该领域的兴趣及理解,并阐述未来研究方向与教授团队的契合点(如“希望基于您团队的自适应死区控制技术,探索GaN驱动电路在车载快充领域的应用”)。
  • 研究计划(RP)需具体可行,可围绕第三部分提出的创新想法展开,明确研究目标、技术路线与预期成果,体现独立研究能力。

博士背景

Blythe,985电气工程硕士,后毕业于香港科技大学电子及计算机工程学系博士学位。研究方向聚焦于电力电子与智能电网技术。在国际权威期刊《IEEE Transactions on Power Electronics》和《IEEE Transactions on Smart Grid》发表多篇论文。专注于开发新型高效率电力变换器和先进智能配电系统控制算法,熟悉香港PhD申请流程。

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